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31.
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2. 相似文献
32.
33.
应用带完全匹配层边界条件的全矢量有限元方法,分析了高折射率椭圆芯布拉格光纤的偏振特性,详细讨论了光纤结构参量对模式双折射度以及群速度走离的影响,结果发现:高折射率椭圆芯布拉格光纤的模式双折射度可达10-2量级,比传统保偏光纤至少高出一个量级,并且表现出不同于传统保偏光纤的群速度走离特性;在保持较高双折射度的同时,通过合理的结构设计,可在一定的波长处灵活地获得较大的群速度走离或零走离特性,具有重要的潜在应用价值;最后,简要分析了低折射率区域的折射率变化对偏振特性的影响;研究结果有助于设计高性能的微结构保偏光纤。 相似文献
34.
AAS测定纸巾中的铅和镉 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用原子吸收光谱法测定纸巾中铅、镉的含量。结果表明,不同纸巾中的污染元素铅、镉的含量不同。同时还对一种纸巾的铅、镉元素进行了回收实验,回收率在92%-104%之间。 相似文献
35.
We extend the matrix version of Cochran's statistical theorem to outer inverses of a matrix. As applications, we investigate the Wishartness and independence of matrix quadratic forms for Kronecker product covariance structures. 相似文献
36.
A Promising MoO_x-based Catalyst for n-Heptane Isomerization 总被引:1,自引:0,他引:1
Song Hai CHAI Xin Ping WANG* Ying Jun WANG Tian Xi CAI State Key Laboratory of Fine Chemicals Dalian University of Technology Dalian 《中国化学快报》2003,14(7)
The increasing demand for higher-octane gasoline and the regulations limiting the amount of aromatics in the fuel motivate the interest in catalytic isomerization of n-alkanes. In the last ten years, transition metal oxides or oxycarbides based on molybdenum or tungstate have attracted much attention due to their high activity and isomerization selectivity compared to the conventional bifunctional supported platinum catalyst and high resistance to sulphur and nitrogen catalyst poisons1-5. Ma… 相似文献
37.
Oriented 2-factorable graphs are reduced to bouquets by permutation voltage assignment in this paper. Introducing the concept ofk-class index of a permutation group, various oriented 2-factorable graphs are enumerated in this paper. 相似文献
38.
39.
This paper proposes a new two-stage two-phase VPP charge pump configured in such a manner that the body effect and the threshold voltage loss are eliminated. The newly proposed circuit is fabricated using 0.18 μm triple-well CMOS process and the measurement result shows that the VPP level tracks 3VDD when VDD is above the threshold voltage. 相似文献
40.